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投资要点
存储进入超级周期。AI训练侧万亿级参数量需要大容量高带宽存储支撑，推理侧多模态输入与KV缓存消耗大量存储空间，服务器配套HBM与高速eSSD成为标配。供给端受2022年半导体下行周期影响，存储厂商资本开支保守，三星、美光等巨头退出利基产能转向高毛利领域，HBM受3D堆叠工艺壁垒制约供给弹性不足，2026年供需比例将进一步下滑至7%，DRAM受HBM挤占影响短缺持续演进，NAND向更高堆叠层数迁移存在资本与工艺爬坡压力制约。受投产谨慎、良率约束及业务结构调整三因素叠加影响，存储市场缺货格局将持续存在，行业进入量价齐升的超级周期。
半导体行业景气度提升。AI算力爆发与新能源车加速渗透推动功率、模拟芯片及被动元器件需求激增，叠加供给端结构性收缩与产能限制，形成全链条涨价周期。功率器件受益于HVDC技术渗透，SiC/GaN器件价值量提升。模拟芯片库存周期反转，高端产品挤占产能，成本压力传导推动量价齐升。被动元器件受贵金属及代工封测涨价驱动，全行业进入自上而下、全品类覆盖涨价周期。
国产算力驱动替代加速落地。国内AI大模型推理与AIDC建设释放强劲算力需求，2029年中国加速服务器市场规模将超1400亿美元，叠加海外出口管制，倒逼国产芯片与制造环节突破。先进制程方面，高端芯片自给率较低，本土晶圆厂加码先进制程产能布局，中芯国际7nm及以下先进制程产能加速爬坡。先进封装成为算力提升关键，Chiplet、HBM技术带动封测需求升级，长电、通富等国产厂商承接订单外溢，2030年全球先进封装市场规模将超794亿美元。半导体设备迎来“需求扩容+国产替代”共振，充分受益于中芯、华虹等晶圆厂及长鑫、长江等存储厂商产能扩张。
AI创新驱动PCB材料与架构双重升级。AI服务器、800G/1.6T交换机对高密度互连、低损耗传输的需求，推动PCB技术全面跃迁。架构上，传统多层板向高多层HDI演进，英伟达GB300 Switch tray升级为6+14+6HDI结构，PCB中板连接替代铜缆实现高密度互连。材料端向低Dk、低Df升级，M9级CCL成为高端需求主流，HVLP超低轮廓铜箔、Q布、碳氢树脂等高端原材料需求缺口显著。技术升级与供需缺口共同支撑PCB产业链价值量持续提升，上下游企业充分受益。。
光学及AI有望推动AR眼镜成为新交互终端。AI技术与光学创新推动AR眼镜从辅助工具升级为“生理级”交互终端，2026年全球AI及AR眼镜销量预计达180万台、95万台，较2024年大幅增长。光学系统中，光波导方案加速替代Birdbath，衍射光波导凭借轻薄优势成主流。显示端LCoS、Micro-OLED、Micro-LED三足鼎立，通过光学与显示的优化搭配，可以解决行业“重量、性能、续航”矛盾，国内厂商在AR领域出货量增速达142.3%，光学镜片、显示面板等环节迎来确定性创新红利。
投资建议：1）存储芯片建议关注：长鑫科技、兆易创新等。半导体芯片建议关注：寒武纪、扬杰科技、捷捷微电、杰华特等。晶圆制造与封测建议关注：中芯国际、华虹公司、长电科技、汇成股份等。半导体设备建议关注：芯碁微装、微导纳米、精测电子、精智达、芯源微等。电子元器件建议关注：铜冠铜箔、菲利华、三环集团、风华高科、顺络电子等。消费电子建议关注中润光学、蓝特光学、天岳先进等。
风险提示：行业景气度不及预期风险；技术研发与量产不及预期风险；供应链重构风险；国际贸易摩擦风险；国产替代进程不及预期风险；产业政策支持力度不及预期风险等。
【半导体：AI爆发助力行业景气上行，国产替代进入深水区】
存储：推理及计算驱动存储进入超级周期
大模型走向数据竞赛，全球CSP资本开支加速。大模型发展正从早期的参数竞争转向数据竞争。以LLM为代表的生成式AI，正逐步从基础模型阶段向AI智能体、物理AI等更复杂的形态演进，整体算力需求进入爆发式增长阶段，根据华为预测，2035年全社会的算力总量将较2025年增长10万倍达10²⁷ FLOPS。全球CSP加大支出力度建设AIDC、算力集群等基础设施以应对AI需求，根据Trend Force预测，2026年全球八大CSPs资本支出增加至7100亿美元以上，从2026财年北美CSP业绩会指引来看，AI资本开支再提速，以Meta为例，Meta将资本开支指引提升至1150亿-1350亿美元，较2025年700亿元提升50-80%。
图1：2026年八大CSP预计Capex超7000亿美金
资料来源：Trend Force，山西证券研究所图2：2025-2030年AI算力预计增长千倍
资料来源：架构师技术联盟，山西证券研究所大模型及AIDC建设推动DRAM及NAND需求激增。训练侧大模型上万亿级的参数量对内存容量需求提升，GPU高度并行计算的提升速度导致的“内存墙”压力进一步推高对存储的大容量、高带宽需求。推理侧多模态输入输出及长上下文推理形成的大量KV缓存叠加用户生成内容留存需求进一步消耗存储空间。受训练与推理双重驱动，AIDC的算力集群在建设中必须配套高带宽内存HBM与大容量高速eSSD以实现低延迟数据供给与存算协同，进而带动存储市场价格整体上涨。根据Counterpoint统计，2026年一季度内存价格环比涨幅达80%-90%，Trend Force预测2026年全球内存市场规模将达5516亿美元，2027年同比增速预计为53%。
图3：PC 及server内存价格环比大幅增长（美元）
资料来源：Counterpoint，山西证券研究所图4：2026年预计内存市场价值超5000亿美元
资料来源：TrendForce，锐芯闻，山西证券研究所AI驱动HBM需求，行业供需持续紧张。AI计算需大量高带宽读写参数与KV缓存，HBM通过3D堆叠、TSV可以突破传统内存带宽瓶颈，实现超高带宽、低延迟、低功耗需求。当前市场由SK海力士、美光、三星垄断，受先进封装配套产能扩张慢、3D堆叠工艺高良率壁垒及晶圆厂扩产周期制约，HBM短期供给弹性不足。根据Trend Force预测，2026年预计HBM容量供给增长32%。需求侧呈现高度集中态势，英伟达、AMD、谷歌、AWS等头部AI算力厂商合计占HBM需求量90%，AI上行周期下，为维护存力高速增长需求及库存安全，CSP会采购比实际消耗量更多的HBM，进一步加速供需缺口。根据SEMI预测，HBM缺口预计从2025年的约5%扩大至2026年的约6%，并在2027年进一步扩大到约9%。
图5：HBM供需缺口将持续至2027年
资料来源：SemiAnalysis，杰尼龟的半导体之家，山西证券研究所图6：2026年预计HBM存储供给提升32%
资料来源：TrendForce，山西证券研究所HBM挤占通用存储产能，DRAM短缺持续演进。随着AI发展，HBM爆发式增长直接挤压了通用DRAM的市场空间，三星、美光、海力士逐步退出利基型存储产品生产，将产能转向数据中心、AI服务器等高利润率领域，PC、移动设备、传统服务器的DDR4、DDR5及利基型DRAM产能短缺。根据Trend Force预测，全球前五大DRAM厂商非HBM晶圆产能占比将从81%缩减至76%，非HBM带来的收入将从67%减少至59%。需求端，AR眼镜、折叠屏手机等新型端侧支撑消费电子领域需求，OEM厂商为抢占市场倾向于签订长协锁定产能进一步压缩存储产品市场流通，根据Omdia预测，预计2026年全球服务器DRAM需求增长27%至18843MGB，而移动设备、PC、智能汽车及其他领域DRAM需求增长11%至22265MGB。
图7：DRAM市场需求保持高增速
资料来源：Omdia，长鑫科技招股说明书，山西证券研究所图8：HBM占DRAM产能、收入及bit产出比
资料来源：Trend Force，锐芯闻，山西证券研究所NAND产能挤压，SSD供需失衡加剧。AI推理需求正重构存储架构，大模型推理高度依赖大量KV缓存和向量数据的低延迟检索，推动具备超高IOPS与微秒级访问延迟的SSD成为热数据与温数据层的主力介质。黄仁勋在2026年CES上提出Rubin的上下文内存存储（ICMS）架构，通过设立本地、机架级存储，解决AI推理中KV Cache束缚，从而进一步提升SSD需求，根据TrendForce，2025年-2028年AI将大幅带动eSSD增长。但供给端SSD受制于存储厂商在审慎扩产、业务重心向高附加值产品倾斜以及3D NAND技术向更高堆叠层数迁移带来的资本与工艺爬坡压力制约，产能释放节奏将相对滞后，TrendForce预计2026年NAND产业资本开支仅增长5%。我们认为产能释放进度大幅迟滞于Rubin的ICMS架构需求，Nand缺货态势将持续。
图9：AI大幅提升eSSD需求
资料来源：TrendForce，存储随笔，山西证券研究所图10：2026预计MLC NAND产能大幅减少
资料来源：Trend Force，山西证券研究所芯片：AI需求与国产替代双轮驱动推动芯片景气度提升
国内算力需求释放，国产算力芯片加速崛起。随着国内AI大模型推理应用爆发、AIDC规模化建设及国产AI芯片渗透率快速提升，中国加速算力服务器需求快速释放。根据IDC统计，2025H1中国加速服务器市场规模达到160亿美元，同比增长超100%，预计到2029年，中国加速服务器市场规模将超过1400亿美元。强劲的算力需求叠加美国对华高端芯片出口管制，正倒逼中国加速AI芯片的量产并实现先进工艺的国产替代。例如，中科曙光部署的3套万卡超集群在国家超算互联网核心节点投入运营，并支持多品牌、多技术路线的国产AI卡混合部署与统一调度，国产算力芯片进入高速发展期。
图11：中国加速计算服务器市场预测
资料来源：IDC，山西证券研究所图12：scaleX万卡超集群
资料来源：中科曙光，山西证券研究所高压直流（HVDC）应用、成本上涨，功率器件量价齐升。受功率密度、峰值功率及设备可靠性提升驱动，HVDC技术在数据中心、新能源及电动车等场景加速渗透，拉动功率器件需求大幅提升。其中，数据中心在单机柜功率向1 MW演进中，推动柜内AC/DC、PSU及柜外SST、SSCB、DC/DC及BBU等环节用高压MOS/IGBT数量成倍增加。成本端，原材料涨价以及晶圆代工及封测环节涨价的成本传导，共同驱动器件价值量抬升，2025年开始，国内外厂商陆续提价，例如英飞凌对功率开关及相关芯片上调价格，国内士兰微对MOS类芯片、信号二三极管涨价10%。
图13：全球功率器件市场规模预测（百万美元）
资料来源：Yole，功率器件产品及使用分享，山西证券研究所图14：全球功率器件厂商开启涨价
资料来源：TrendForce、半导体行者、国际电子商情、华润微公告、新浪财经，山西证券研究所模拟芯片需求回暖，国产替代持续深化。传统工业领域逐步复苏，叠加AI算力、智能驾驶、新能源汽车等高景气赛道快速渗透，带动信号调制、高精度传感、电源管理等核心品类需求结构性提升。根据沙利文数据，2026年中国模拟芯片市场规模有望达到2451亿美元，较2024年增长25%。我国在模拟芯片领域发展较晚，工业及汽车等高端领域国产替代率较低，国内前五大模拟厂商收入2024年收入份额仅6.9%，但从中长期看，随着国内厂商在模拟芯片领域的技术突破与客户导入加速，叠加政策支持与供应链自主可控需求，将持续提升国产模拟芯片的市场份额，进一步推动模拟景气度持续上行。根据沙利文预测，2029年模拟芯片国产化率有望从24年23.2%提升至30.8%。
图15：中国模拟芯片市场规模
资料来源：沙利文，山西证券研究所图16：2024年中国模拟IC市场份额
资料来源：纳芯微，山西证券研究所供给收紧叠加涨价传导，模拟芯片进入上行周期。模拟芯片行业已进入新一轮上行周期，供需格局持续优化、库存周期反转、成本端刚性支撑驱动行业量价齐升。供给端行业产能温和复苏，成熟制程产能持续收缩，低端通用料号受前期产能调整与高端车规、AI相关产品产能挤占供给弹性受限，行业库存周期由主动去库切换至主动补库阶段。从核心厂商经营指标看，2025年TI及ADI存货周转率均有所提升，圣邦股份及纳芯微季度毛利率及存货周转率环比改善。成本端上游金属价格上行叠加晶圆代工与封测环节提价，成本压力逐步向下游传导，TI、ADI及英飞凌等模拟IC龙头均对旗下产品进行大幅调价，国内厂商必易微、美芯晟亦发布调价函，行业涨价逻辑从国际龙头向国内厂商顺畅传导，进一步夯实模拟芯片行业上行周期基础。
图17：国内外龙头模拟厂商财务指标见
资料来源：wind，山西证券研究所代工及封测：国内算力需求释放，代工封测量价齐升
国产AI芯片驱动先进制程国产替代。全球先进制程产能呈现持续增长趋势，根据SEMI统计，2024-2028年7nm以下先进制程产能将从85万wpm增长69%至140万wpm，2nm及以下产能将从2025年20万wpm增长至2028年50万wpm。其中，台积电、三星等少数头部厂商占据主要份额，国内先进制程产能占比仍偏低，导致高端芯片自给率较低，为应对国产AI芯片加速渗透带来的巨大需求，本土晶圆厂加码先进制程产能布局，中芯国际7nm及以下先进制程产能加速爬坡。
图18：全球先进制程产能高速扩张（单位：%）
资料来源：SEMI，山西证券研究所图19：全球主要晶圆代工厂技术路线图
资料来源：Semi Vision，锐芯闻，山西证券研究所国产封测厂商迎来双重机遇。摩尔定律逼近极限，先进封装通过 Bump、RDL、TSV及混合键合等技术实现高带宽、低功耗、三维集成，成为延续算力提升的关键。根据Yole数据，2024年全球先进封装市场规模约为460亿美元，预计到2030年将超过794亿美元，CAGR达9.5%。在高密度集成趋势下，Chiplet、HBM等对测试环节提出更高要求，台积电、长电、通富等封测厂已导入高精度探针测试、分布式在线测试、系统级测试等方案。目前全球封测市场仍由台积电、三星、日月光主导，国内厂商长电、通富、华天加速布局并实现高端量产，但在AP领域国产化率仍较低。在出口管制及AI发展下，国内封测厂有望迎来订单外溢与国产替代的双重机遇。
图20：全球先进封装市场格局（十亿美元）
资料来源：Yole，山西证券研究所图21：国内封测产业国产化率提升趋势预测
资料来源：半导体产业研究，山西证券研究所半导体设备：AI提升设备景气度，国产需求与替代共振
全球半导体设备投资景气度抬升。受AI、HPC发展驱动，存储与GPU领域的资本开支显著增加，全球晶圆代工设备、先进封装设备及测试设备需求回暖，推动设备投资整体回升。根据SEMI预测，预计2025年全球半导体设备市场增长7.4%达1250亿美元，2026 年有望进一步增至1380 亿美元，同比增速提升至10%。晶圆制造设备（WFE）在存储及先进制程双重拉动下，预计2026年增长10%至1220亿美元，其中，逻辑晶圆代工受于先进制程推动，预计增长6.6%，DRAM及NAND受益于存储产能扩张，预计分别增长12%、10%。封测环节在AI、手机及HPC带动的先进封装需求支撑下保持较高增速，其中，封装设备增长15%至63亿美元，测试设备增长5%至98亿美元。
图22：WFE市场规模预测（十亿美元）
资料来源：锐芯闻，SEMI，山西证券研究所图23：封测设备市场规模预测（十亿美元）
资料来源：锐芯闻，SEMI，山西证券研究所国产设备需求与替代共振。美国对华半导体设备出口管制持续收紧，叠加国内AI算力爆发及两存上市带动的先进制程及存储扩产需求，国产半导体设备行业迎来“需求扩容+国产替代”共振。需求端，先进逻辑与存储产线扩产占比提升，中芯、华虹等晶圆厂及长鑫、长江等存储厂商加大资本支出扩大产能，为设备厂商提供持续订单支撑拉动前道设备采购需求。替代端，成熟制程的产能份额提升，光刻、量测、检测等“卡脖子”领域研发持续推进，国产设备需求广度从单点转向全链条，厂商通过并购整合产品线，本土晶圆厂优先采购国产设备以保障供应链安全。根据CMSP报道，中国国产半导体设备的市场占比已从24年的25%大幅提升至35%，刻蚀、薄膜沉积等核心工艺已突破40%。
图24：中国半导体设备行业市场规模预测
资料来源：宇量信息，沙利文，山西证券研究所表1：2024年半导体设备国产化率
资料来源：宇量信息，沙利文，山西证券研究所【电子元器件：AI创新带动产业链全栈价值重塑】
PCB：进入高多层、高速率、新材料时代
AI算力与高速互联驱动PCB规格跃迁。AI服务器、800G/1.6T交换机及高速网络基础设施的规模化部署，对超高密度互连与低损耗传输提出了更高要求，推动PCB在架构和材料上同步创新。架构层面，布线密度、信号与电源完整性需求推动PCB连接代替铜缆连接及传统多层板向更高层数发展，以英伟达为例，GB300的Switch tray由5+12+5 HDI升级为更高层的6+14+6 HDI以满足更密集的互连。在材料层面CCL、铜箔、玻纤布正向超低损耗方向升级，以保证信号完整性和系统可靠性。
图25：高阶HDI板结构
资料来源：工程师小捷，山西证券研究所图26：Rubin架构采用PCB中板连接替代铜缆
资料来源：SEMI，芯小虎，山西证券研究所表2：英伟达板卡在架构和材料上同步创新
资料来源：傅里叶的猫，山西证券研究所CCL材料系统性升级。覆铜板（CCL）是PCB核心基材，成本占比达40%，其主要由铜箔、玻纤布及树脂压合形成。其中，树脂决定基础介电性能与耐热性，玻纤布直接影响整体Dk（介电常数）、Df（损耗因子）及CTE（热膨胀系数），铜箔的表面粗糙度（Rz）则是决定高频导体损耗的关键。当前AI服务器与高速通信需求驱动PCB向低Dk、低Df方向演进，倒逼CCL材料体系向M6-M9等级实现系统性跨越。在此趋势下，上游原材料均迎来协同升级，树脂体系向碳氢树脂、PTFE改良迭代，玻纤布向低介电布、Q布高端化发展，铜箔则持续降低表面粗糙度以适配高频高速传输要求。
图27：PCB及CCL成本构成
资料来源：SemiVision，山西证券研究所图28：CCL组成结构
资料来源：SI simulation workshop，山西证券研究所表3：Panasonic高速覆铜板技术演进路线
资料来源：PCBA设计与制造，山西证券研究所高端铜箔向高频高速与高密度超细线路方向迭代。铜箔是CCL中最重要的材料，成本占比达39%，铜箔的表面粗糙度直接影响高频信号趋肤效应损耗，AI服务器推动其向HVLP、可剥铜等高端铜箔升级以适配高频低损耗与高密度细线化需求。HVLP超低轮廓铜箔凭借 Rz≤0.4μm的优异特性，可显著抑制高频损耗，成为M9及以上级别超低损耗CCL关键载体。在AI载板领域，传统铜箔难以满足超薄、超细线路的制程要求，载体化可剥铜凭借稳定加工超薄铜层的工艺优势，有效改善细线化制程良率。根据Global Info Research统计，预计2031年全球载体铜箔产值达18.85亿美元，2025-2031 CAGR达14.5%。
图29：DTH产值预测
资料来源：Global Info Research，山西证券研究所图30：高频高速场景CCL铜箔粗糙度
资料来源：三井金属，山西证券研究所玻纤布向低介电、低热膨胀方向迭代。玻纤布约占CCL成本的26%，核心作用是强化机械强度并调控介电性能，其性能正朝低介电常数（Dk）、低损耗因子（Df）、低热膨胀系数（CTE）方向推进。受低Dk/Df需求驱动，玻纤布已从常规E玻璃升级至Low-Dk一代/二代布，并进一步向石英布（Q布）演进。低CTE玻纤布因热膨胀系数极低，可保障高温焊接及运行中PCB尺寸稳定，满足AI芯片高热环境下的先进封装需求，已成为IC基板的必备材料。目前一二代布是高端CCL的主流选择，主要用于M7-M8级产品，Q布凭借低Dk（3.4）、Df（0.0004）及CTE（0.6）成为M9级核心材料。目前高端布产能严重不足，日经纺扩产谨慎，根据富邦投顾预测，2026年lowDk布产能约1000万平/月，对应一至三代布需求合计1850万平/月。
图31：玻纤布在AI领域用途
资料来源：日东纺官网，山西证券研究所表4：高端玻纤布各规格性能参数
资料来源：SI simulation workshop，山西证券研究所树脂正向低损耗、高耐热方向升级。树脂作为覆铜板的胶黏与绝缘材料，介电常数与损耗因子直接决定信号传输质量，传统的环氧树脂约占CCL成本的18%，但其高Dk/Df已经难以满足高频高速传输需求，高规格覆铜板材料中，主流树脂逐渐转向具备低介电常数、高热稳定性与低吸水率的聚四氟乙烯（PTFE）、碳氢树脂（PCH）及聚苯醚（PPO）。M8级CCL目前以PPO为主流基材，通过互穿聚合物网络技术引入环氧树脂改性，以平衡其热塑性带来的耐热性短板。对于M9级产品来说，PPO单层电性能不足，则需进一步引入Dk/Df值更低的PCH或PTFE作为补充。尽管PTFE在介电性能上最为优异，但受限于良率及加工成本，当前量产方案仍以PPO混合碳氢为主。
表5：CCL用电子级树脂性能
资料来源：NY资本，山西证券研究所被动器件：高端需求与国产替代推动行业景气上行
头部厂商带动被动元器件市场进入涨价潮。受上游银、锡、铜等贵金属及晶圆代工、封测环节涨价影响，被动元器件市场迎来新一轮价格上涨周期，并呈现覆盖广、传导快、龙头引领的特征。涨价种类涵盖包含钽电容、MLCC、芯片电阻、电感等核心品类。其中，龙头国巨旗下KEMET一年内两次上调应用于AI 服务器与汽车电子的钽电容价格，旗下普思亦对电阻系列产品实施调价。国内头部厂商同步跟进，风华高科对电感磁珠、MLCC、电阻等多品类调涨，顺络电子宣布上调部分电感、磁珠价格。头部厂商的调价行为快速带动全行业进入自上而下、全品类覆盖涨价周期。
表6：被动器件主要厂商调价情况
资料来源：芯世相、半导体前线、新型陶瓷、车规半导体硬件、半导体链脉、有芯电子，山西证券研究所新兴场景下高端MLCC单机量大幅提升。被动元器件中，2024年电容市场份额达65%，其中MLCC用量最大，应用范围最广。受AI服务器及边缘AI的发展，高端MLCC需求量迎来爆发，根据科创板日报引用，全球被动元件龙头村田表示，AI将大量消耗MLCC，英伟达GB300需搭载MLCC约3万颗，单AI机柜消耗44万颗，预计2030年AI服务器用MLCC需求将较2025年大增3.3倍。新能源车领域受三电系统、智能座舱、自动驾驶传感器等部件带动，XEV单车被动元器件用量从传统燃油车3000颗提升1.8万至3万颗。根据智研咨询预测，预计2028年全球MLCC需求量将增长至5.95万亿只，市场规模达1408亿元。
图32：全球MLCC市场规模（亿元）
资料来源：智研咨询，山西证券研究所图33：服务器MLCC用量
资料来源：深圳电子商会，山西证券研究所产能紧张叠加出口管制助力国产替代。被动元器全球龙头主要为日韩台系厂商，其中，村田、TDK等日系厂商占据高端MLCC及电感市场，国巨等台系厂商在高端电阻领域具备优势，大陆厂商已在中低端器件市场实现替代，但车规级、航空领域仍有较大差距。目前行业格局正面临多重结构性变化，村田、TDK、太阳诱电等日系龙头已开始调整业务结构，缩减消费电子及通用型元器件产能，我国全面禁止两用物项对日本军事用户及用途的出口将导致日本本土厂商进一步减产。与此同时，华为、中兴等国内头部企业正加大对本土供应商的扶持力度，将持续推动大陆厂商在中高端被动元器件领域实现技术突破与市场份额提升。
图34：MLCC市场格局
资料来源：中国电子元件行业协会、中商产业研究院，山西证券研究所图35：电阻市场格局
资料来源：华经产业研究院，贞光科技，山西证券研究所【消费电子：智能眼镜市场加速扩张，光学系统长坡厚雪】
AI及光学技术驱动智能眼镜成为下一代“生理级”交互终端。智能眼镜凭借更接近人类视听器官的“生理级”入口优势，正从单一的辅助工具向AI设备交互中心演进。通过嵌入大模型并结合多模态传感，眼镜能够实时调度汽车、AIPC及智能家居等设备，打破生态隔离墙，实现跨场景的互联协同。短期内AI音频眼镜作为手机配件先行放量，而具备高清显示与虚实融合能力的AR眼镜被视为AI硬件载体的终极形态。从2025年发布的产品来看，消费电子、互联网、新能源汽车等多领域企业，凭借自身技术或生态优势跨界布局AI+AR眼镜赛道。
表7：多领域厂商布局智能眼镜赛道
数据来源：MicrroDisplay，亿欧网，山西证券研究所全球智能眼镜市场加速扩张，AR领域国内具备优势。根据IDC统计，2025年Q3全球智能眼镜市场出货量429.6万台，同比增长74.1%。其中音频和音频拍摄眼镜市场出货量299.4万台，同比增长287.5%，AR/VR受VR低迷影响，市场增速有所下滑。国内市场AR增速较快，2025年Q3中国智能眼镜市场出货量62.3万台，同比增长62.3%，其中音频和音频拍摄眼镜市场出货量45.4万台，同比增长79.2%，AR/ER品类增速最快，同比增长142.3%，市场份额达83.4%，VR&MR持续承压，出货量同比下滑61.2%。2026年全球智能眼镜出货进入放量增长，根据维深XR预测，预计2026年AI及AR眼镜销量达1600万台、165万台，较24年增长9.5倍、增长2.3倍。
图36：全球各类型智能眼镜出货量
资料来源：IDC，山西证券研究所图37：中国各类型智能眼镜出货量
资料来源：IDC，山西证券研究所光学系统是AR眼镜核心壁垒与破局关键。光学系统包括光学与显示部分，是AR眼镜BOM成本中占比最高（约40-50%）且技术壁垒最深的环节。光学端，光波导方案正加速替代Birdbath成为主流，其中衍射光波导凭借半导体级工艺，在规模化量产与超轻薄形态上较阵列更具优势。显示端，技术路径呈现三足鼎立，LCoS 依托成熟产业链与大视场角优势，受Meta等巨头青睐，Micro-OLED以高对比度与成熟度支撑消费级存量市场，Micro-LED仍面临全彩化与巨量转移瓶颈，但被认为是户外显示的终极方案。通过有效的搭配光学和显示，可兼顾高亮度和全天候佩戴需求，从而解决行业“重量、性能、续航”的矛盾。
表8：AR眼镜的波导类光学方案
资料来源：维深XR，山西证券研究所表9：主流的五种微显示技术
资料来源： Display之家，山西证券研究所【投资建议及风险提示】
投资建议
存储芯片建议关注：长鑫科技、兆易创新等；
半导体芯片建议关注：寒武纪、扬杰科技、捷捷微电、杰华特；
晶圆制造与封测建议关注：中芯国际、华虹公司、长电科技、汇成股份等；
半导体设备建议关注：芯碁微装、微导纳米、精测电子、精智达、芯源微等；
电子元器件建议关注：铜冠铜箔、菲利华、三环集团、风华高科、顺络电子等；
消费电子建议关注中润光学、蓝特光学、天岳先进等。
表10：主要公司盈利及估值情况，截至2026年2月25日
资料来源：wind，山西证券研究所风险提示
行业景气度不及预期风险。全球宏观经济波动可能导致 AI 服务器、新能源车、消费电子等下游需求不及预期，进而影响半导体、电子元器件等行业订单与产能释放。
技术研发与量产不及预期风险。半导体先进制程、HBM、Chiplet 封装、AR 光学显示等核心技术研发难度大，若国产厂商在技术突破、良率爬坡、规模化量产等环节进展滞后，可能错失行业发展机遇。
供应链重构风险。晶圆代工、封测产能紧张，上游贵金属、玻纤布、树脂等原材料价格波动，以及设备、耗材进口管制可能导致产业链供给受限。
国际贸易摩擦风险。中美欧等主要经济体贸易政策变化、半导体出口管制升级，可能对全球产业链分工、技术合作及市场需求造成冲击。
国产替代进程不及预期风险。设备、材料、EDA、IP等环节卡脖子问题短期难以解决，制约晶圆厂扩产与良率提升。下游客户验证周期长，国产芯片及器件渗透率提升慢于预期。
产业政策支持力度不及预期。半导体大基金三期投放节奏放缓、补贴退坡，影响企业扩产与研发投入。地方政府招商引资政策收紧，项目落地与资金支持不及预期。
分析师：傅盛盛
执业登记编码：S0760523110003
分析师：李明阳
执业登记编码：S0760525050002
报告发布日期：2026年3月24日
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